特許
J-GLOBAL ID：200903075189743330
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-036815
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156321
出願日： 2000年02月15日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】 低コスト、製造上の簡便さ、機能性に優れた半導体装置とその製造方法の提供。【解決手段】(1)多孔質半導体層と、無機半導体層とが順に積層された半導体装置、(2)多孔質半導体層と、無機半導体層と間に有機物層を有する半導体装置、(3)2つの無機半導体層の間に有機単分子層を有する半導体装置である。この半導体装置は、無機半導体の構成元素、あるいはその構成元素を含む化合物を含有する溶液に多孔質半導体層あるいは表面に有機物層を有する半導体層を浸漬し、この溶液中で多孔質半導体層、あるいは有機物層上に無機半導体層を形成することによって製造される。
請求項（抜粋）：
多孔質半導体層と、無機質半導体とが順に積層されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/368 Z
, H01L 31/04 E
, H01L 31/04 Z
, H01L 31/04 D
