露光条件選択方法、及び該方法で使用される検査装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大森聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-193982
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040476
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】評価用の基板を割ることなく、最適な露光条件を決定する。【解決手段】検査用のウエハW上にフォトレジストを塗布し、ウエハW上の各ショット領域毎に露光量、及びデフォーカス量の露光条件を僅かに変えながら露光を行い、現像後のウエハWを検査装置のターンテーブル38上に載置する。光源21からの検出光をウエハWの全面にほぼ垂直に照射し、ウエハWからの正反射光による像を撮像素子26で撮像し、ウエハWからの±n次光による像を撮像素子30a,30bで撮像し、画像信号を処理してウエハW上の各ショット領域毎の正反射光、及びn次回折光の強度を求める。予めレジストパターンの断面形状と、正反射光及び回折光の光量との関係を求めておき、この関係と計測された各ショット領域毎の光量とを用いて最適な断面形状が得られるショット領域を特定し、このショット領域に露光したときの条件を最適な露光条件とする。

請求項（抜粋）：

第1面のパターンの像を投影系を介して第2面上に投影する投影露光装置で所定の結像特性が得られるように所定の露光条件を決定するための露光条件選択方法であって、前記第1面に所定のマスクパターンを配置し、前記第2面上に感光材料が塗布された評価用の基板を配置し、該基板上の複数の露光領域に互いに前記所定の露光条件を変えて前記マスクパターンの像を前記投影系を介して露光する第1工程と、前記基板上の感光材料を現像する第2工程と、該現像後に残される前記感光材料のパターンに検査用の照明光を照射して、前記感光材料のパターンからの正反射光、及び回折光の少なくとも一方を受光し、前記基板上の前記複数の露光領域毎の受光量に基づいて前記所定の結像特性が得られるように前記所定の露光条件を決定する第3工程と、を有することを特徴とする露光条件選択方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 502 V , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 516 Z

引用特許：

出願人引用 (5件)

結像特性の測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-183797 出願人：株式会社ニコン
特開平2-099804
特開平2-091504

全件表示

審査官引用 (9件)

結像特性の測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-183797 出願人：株式会社ニコン
特開平2-099804
特開平2-091504

全件表示

前のページに戻る