表面処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石島茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-179926
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012517
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】太陽電池パネルに用いるSiやGaAs基板等の表面に、テクスチャーを形成してパネル表面の反射率を低減し、光の吸収効率を向上させる技術の改善に関する。【解決手段】分子中にフッ素原子を含むSF6ガスと、分子中に塩素原子を含むHClガスとの混合ガスを用いて半導体基板3の表面を、半導体基板3が接地されたプラズマエッチング装置1でプラズマエッチングしている。すると、同一面方位についてのSF6ガスとHClガスとのエッチレートの差によって、エッチングが等方的に進行しにくくなり、イオン衝突エネルギーが低いプラズマエッチング装置1でも、半導体基板3の表面にテクスチャーを形成することができる。従って、基板側電極を基板の搬送装置と絶縁するための設備が不要なので、設備コストを低減し、太陽電池パネルのコストを低減することができる。

請求項（抜粋）：

処理室と、前記処理室内に設けられ、接地電位に接続された基板ホルダーと、プラズマ励起源とを備えたプラズマエッチング装置を用いて、半導体基板の、半導体の露出する表面をプラズマエッチングして前記半導体基板の表面に凹凸を形成する表面処理方法であって、前記処理室内を真空雰囲気にした状態で、前記基板を前記基板ホルダーに保持させる工程と、前記処理室内に、分子中にフッ素原子を含むガスと、分子中に塩素原子を含むガスとの混合ガスを含む反応ガスを導入する工程と、前記プラズマ励起源から高周波電力を供給し、前記反応ガスをプラズマ化して前記半導体の露出する表面をプラズマエッチングすることで、前記半導体基板の前記半導体の露出する表面に凹凸を形成する工程を有することを特徴とする表面処理方法。

Fターム (11件)：

5F004AA03 , 5F004BA04 , 5F004BB11 , 5F004BC02 , 5F004BC03 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA18 , 5F004DA29 , 5F004DB01

引用特許：

審査官引用 (3件)

太陽電池素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-041617 出願人：京セラ株式会社
特開昭55-105382
特開昭55-105382

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