高解像度ポジ型化学増幅系レジスト材料及びそれを用いたレジストパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：三枝英二 , 掛樋悠路 , 菱田高弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-077640
公開番号（公開出願番号）：特開2008-241737
出願日： 2007年03月23日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】マトリックス樹脂が簡便な製造方法によって得られ、真空下で露光する非光リソグラフィプロセスに適用して微細なレジストパターン形成が可能であって、しかも露光時における保護基の脱落が抑制されている高解像度ポジ型化学増幅系レジスト材料を提供する。【解決手段】フェノール性水酸基の一部又は全部がケタール基によって置換された、ポリ(4-ヒドロキシスチレン)又はその誘導体を含有するポジ型化学増幅系レジスト材料であって、前記ポリ(4-ヒドロキシスチレン)又はその誘導体は、RAFT剤としてのジチオエステル系化合物の存在下、スチレン系モノマーをリビングラジカル重合する工程を有する製造方法により得られる、ポジ型化学増幅系レジスト材料。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

フェノール性水酸基の一部又は全部がケタール基によって置換された、ポリ(4-ヒドロキシスチレン)又はその誘導体を含有するポジ型化学増幅系レジスト材料であって、前記ポリ(4-ヒドロキシスチレン)又はその誘導体は、RAFT剤としてのジチオエステル系化合物の存在下、スチレン系モノマーをリビングラジカル重合する工程を有する製造方法により得られる、ポジ型化学増幅系レジスト材料。

IPC (4件)：

G03F 7/039 , C08F 2/38 , H01L 21/027 , C08F 12/22

FI (4件)：

G03F7/039 601 , C08F2/38 , H01L21/30 502R , C08F12/22

Fターム (31件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BF15 , 2H025BG00 , 2H025CB16 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CB56 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J011AA05 , 4J011NA26 , 4J011NB04 , 4J100AB04P , 4J100BA02H , 4J100BA03H , 4J100BA05H , 4J100BC04H , 4J100CA01 , 4J100CA31 , 4J100DA04 , 4J100FA04 , 4J100HA61 , 4J100HB25 , 4J100HC13 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (4件)

特公平2-27660号公報
新規なレジスト材料及びパタ-ン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-173830 出願人：和光純薬工業株式会社
単分散性共重合体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-212162 出願人：信越化学工業株式会社

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