特許

J-GLOBAL ID：200903015816282201

レジストパターン形成方法

発明者： 鈴 木 隆 ,  吉 村 操 ,  北 浦 義 昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-214848
公開番号（公開出願番号）：特開平9-062012
出願日： 1995年08月23日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 メッキ処理に好適なレジストパターンの形成を可能にする。【解決手段】 被処理基板2,4上にフォトレジストを塗布することによりフォトレジスト膜6を形成する工程と、フォトレジスト膜6中の溶媒がほとんど蒸発する加熱条件の下で加熱処理する工程と、フォトレジスト膜6を露光、現像することによりフォトレジストのパターンを形成する工程と、を備えていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

被処理基板上にフォトレジストを塗布することによりフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜中の溶媒が蒸発する加熱条件の下で加熱処理する工程と、前記フォトレジスト膜を露光、現像することによりフォトレジストのパターンを形成する工程と、を備えていることを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/38 501 ,  G03F 7/023 511 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312 ,  H05K 3/18

FI (6件)：

G03F 7/38 501 ,  G03F 7/023 511 ,  H01L 21/312 D ,  H05K 3/18 D ,  H01L 21/30 566 ,  H01L 21/30 569 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-257817
  
• 特開昭58-116532
  
• レジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-068406   出願人：松下電工株式会社