特許
J-GLOBAL ID:200903015835739859
真空成膜装置
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-218780
公開番号(公開出願番号):特開2000-054151
出願日: 1998年08月03日
公開日(公表日): 2000年02月22日
要約:
【要約】【課題】プラズマCVD方式等の巻き取り式の真空成膜装置において、基材フィルムの清浄性や成膜速度等の成膜性能に悪影響を及ぼすことなく、基材フィルムの静電気を除去することが可能な、除電ガス導入・排出機構(帯電除去手段)を備えた成膜装置を提供することにある。【解決手段】成膜室出口直近に設置された帯電除去ガス放出チャンバと、上記放出チャンバ外周に設置された吸引チャンバとからなる帯電除去手段を具備していることを特徴とする、真空成膜装置である。
請求項(抜粋):
樹脂フィルムを真空中において巻き取りつつ、その表面に薄膜を形成する成膜装置において、(a)成膜室出口直近に設置された帯電除去ガス放出チャンバと、(b)上記放出チャンバ外周に設置された吸引チャンバとからなる帯電除去手段を具備していることを特徴とする、真空成膜装置。
IPC (4件):
C23C 16/54
, C23C 16/455
, C23C 16/50
, H05F 3/04
FI (4件):
C23C 16/54
, C23C 16/44 D
, C23C 16/50
, H05F 3/04 Z
Fターム (7件):
4K030CA07
, 4K030CA17
, 4K030DA08
, 4K030FA03
, 4K030KA49
, 5G067AA23
, 5G067DA14
引用特許:
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