特許
J-GLOBAL ID：200903015856987232

受光増幅回路および光ピックアップ

発明者：
大西 雅也

大西 雅也 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-116198
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287286
出願日： 2006年04月19日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
【課題】ノイズを低減するとともに、良好なオフセット電圧特性を得ることができる受光増幅回路を実現する。【解決手段】受光増幅回路1は、1対のトランジスタTr1,Tr2とバイアス回路I1から成る差動回路DEF1と、能動負荷ALと、エミッタフォロア回路EFR1,EFL1と、フォトダイオードPD1が発生する光電流を電圧に変換するゲイン抵抗R1と、オフセットを調整するオフセット調整用抵抗R2とを有する。ゲイン抵抗R1の抵抗値は、オフセット抵抗R2の抵抗値より大きく設定されている。この抵抗値の設定およびエミッタフォロア回路EFR1,EFL1を設けることによって、ノイズの低減およびオフセット電圧特性の向上を図ることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1および第2トランジスタからなる差動トランジスタ対と当該差動トランジスタに電流を流す電流源とを有する差動回路、および前記差動トランジスタ対の能動負荷を有する差動増幅回路と、受光素子が発生する電流を電圧に変換するために前記第1トランジスタのベースと出力端子との間に接続される第1抵抗と、受光増幅回路の出力電圧のオフセットを調整するために所定の基準電圧を前記第2トランジスタのベースに入力する第2抵抗とを備えた受光増幅回路において、 前記第1トランジスタのベースと前記第1抵抗との間に設けられる第1エミッタフォロア回路と、 前記第2トランジスタのベースと前記第2抵抗との間に設けられる第2エミッタフォロア回路とを備え、 前記第1抵抗の抵抗値が前記第2抵抗の抵抗値より大きく設定されていること特徴とする受光増幅回路。
IPC (2件)：
G11B 7/13 ,  H01L 31/10
FI (2件)：
G11B7/13 ,  H01L31/10 G
Fターム (13件)：
5D789AA12 ,  5D789AA29 ,  5D789AA41 ,  5D789BA01 ,  5D789CA15 ,  5D789KA02 ,  5D789KA04 ,  5D789KA43 ,  5F049MA01 ,  5F049MA02 ,  5F049NA04 ,  5F049NB08 ,  5F049UA12
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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