特許
J-GLOBAL ID：200903015875724145
FIB加工装置及び方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-166426
公開番号（公開出願番号）：特開2009-004306
出願日： 2007年06月25日
公開日（公表日）： 2009年01月08日
要約：
【課題】半導体ウェハーのFIB加工処理おいて、真断面径となる加工断面を自動的に判定する。【解決手段】FIB加工における仕上げ加工中に、FIB加工された加工断面を逐次撮像するステップと、撮像された画像に基づいて加工断面上のパターン寸法を求めるステップと、パターン寸法と撮像時刻とに基づいて、パターン寸法の時間関数を求めるステップと、関数演算手段によって求められた時間関数に基づいて、FIB加工の停止位置を制御するステップと、を備える。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
所定のパターンを形成したウェハーを、集束イオンビーム(FIB)によって加工するFIB加工装置であって、
FIBによって加工された加工断面を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段によって撮像された画像に基づいて前記加工断面上のパターン寸法を求める寸法演算手段と、
前記パターン寸法の時間当たりの変化率が所定値以下になることを検出する検出手段と、
前記検出手段によって変化率が所定値以下であることが検出されると、前記FIB加工の停止位置を制御する制御装置と、を備えることを特徴とするFIB加工装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
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