特許
J-GLOBAL ID：200903015884768546

SOIウェーハの製造方法及びSOIウェーハ

発明者：
三谷 清

三谷 清 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-384379
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184960
出願日： 2000年12月18日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】【課題】 高周波特性に優れたSOIウェーハ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第一のシリコン単結晶基板(ボンドウェーハ)1と第二のシリコン単結晶基板(ベースウェーハ)2の各主表面にシリコン酸化膜3’、3’’を形成し、該シリコン酸化膜3’、3’’を介して前記第一及び第二シリコン単結晶基板1、2を、ホウ素放出性フィルターを通して供給された清浄空気からなる雰囲気中にて密着させ、SOIウェーハ10を作製する。第二のシリコン単結晶基板(ベースウェーハ)2として、基板内部の抵抗率が100Ω・cm以上のシリコン単結晶基板を用いる。また、このようにして形成されたSOIウェーハ10は、そのシリコン酸化膜3中において厚さ方向のホウ素濃度分布を測定したとき、酸化膜内部にホウ素濃度が最大となる位置が存在する形態となる。
請求項（抜粋）：
第一のシリコン単結晶基板と第二のシリコン単結晶基板の各主表面にシリコン酸化膜を形成し、該シリコン酸化膜を介して前記第一及び第二シリコン単結晶基板の前記主表面同士を密着させる工程を含む貼り合わせ工程と、前記第一のシリコン単結晶基板の厚みを減じてSOI層となす減厚工程とを有し、前記第二のシリコン単結晶基板として、基板の抵抗率が100Ω・cm以上のシリコン単結晶基板を用い、かつ、前記貼り合わせ工程における主表面同士を密着させる工程を、ホウ素放出性フィルターを通して供給された清浄空気からなる雰囲気中にて行うことを特徴とするSOIウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20
FI (3件)：
H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/20
Fターム (2件)：
5F052KB01 ,  5F052KB05
引用特許：
審査官引用 (4件)
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