特許

J-GLOBAL ID：200903015912271750

圧電薄膜素子及びその製造方法

発明者： 柴田 憲治 ,  岡 史人
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-156318
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324538
出願日： 2006年06月05日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【課題】エアロゾルデポジション法により良質で膜密度の高いニオブ酸リチウムカリウムナトリウム薄膜が形成できる圧電薄膜素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板102上に下部電極103、圧電薄膜104、上部電極105を順に配した構造を有し、前記圧電薄膜104がエアロゾルデポジション法により形成され(NaxKyLiz)NbO3(0<x<1、0<y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の多結晶を主成分とする圧電薄膜素子101において、圧電薄膜104の膜密度が95%以上である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に下部電極、圧電薄膜、上部電極を順に配した構造を有し、前記圧電薄膜がエアロゾルデポジション法により形成され(NaxKyLiz)NbO3(0<x<1、0<y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の多結晶を主成分とする圧電薄膜素子において、前記圧電薄膜の膜密度が95%以上であることを特徴とする圧電薄膜素子。

IPC (6件)：

H01L 41/187 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22 ,  C04B 35/00 ,  C23C 24/04

FI (6件)：

H01L41/18 101J ,  H01L41/08 C ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 Z ,  C04B35/00 J ,  C23C24/04

Fターム (19件)：

4G030AA02 ,  4G030AA03 ,  4G030AA04 ,  4G030AA20 ,  4G030BA10 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08 ,  4G030GA10 ,  4K044AA11 ,  4K044AB02 ,  4K044AB10 ,  4K044BA12 ,  4K044BA13 ,  4K044BB01 ,  4K044BB11 ,  4K044BC14 ,  4K044CA25 ,  4K044CA29 ,  4K044CA53

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許第3348154号公報
  
• 複合酸化物セラミックスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-203322   出願人：株式会社奈良機械製作所

審査官引用 (2件)

• 圧電アクチュエータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-378809   出願人：株式会社リコー
• 圧電アクチュエータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-228396   出願人：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所