特許
J-GLOBAL ID：200903015914245080

誘電体膜およびその形成方法

発明者：
西川 孝司

西川 孝司 について

, 
飯島 賢二

飯島 賢二 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-246933
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077102
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 SiO2 層の形成やダブルドメインのない、結晶性の高いCeO2 膜を有する誘電体膜及びその形成方法を提供する。【解決手段】 Si基板21上に単結晶のMg層22,Ce層23を連続して形成した後、Ce層23の上にO2 分子24を供給する。Ce層23のCeが酸化されてCeO2 層25になり、Mg層22の一部又は全部が酸化されてMgO層26になる。Mg以外にBi,Zrなどを用いることもできる。つまり、Si基板などの半導体層の上に、金属材料の膜が形成されていることで、シリコン酸化膜等の半導体層を構成する材料の酸化膜が形成されにくいので、比誘電率の高いMgO層などの下地層及び結晶性CeO2 層を含む単位面積当たりの容量の大きい誘電体膜が得られる。誘電体膜の厚みを十分厚くして、リークの低減や、破壊耐圧の向上を実現することができる。
請求項（抜粋）：
結晶性半導体層の上に形成され、酸素との親和性が上記半導体層を構成する半導体材料と酸素との親和性よりも高い金属材料からなる下地層と、上記下地層の上に形成された結晶性CeO2 層とを備えている誘電体膜。
IPC (12件)：
H01L 21/316 ,  C30B 23/08 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 315 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (14件)：
H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 B ,  H01L 21/316 C ,  H01L 21/316 X ,  C30B 23/08 M ,  H01B 3/00 F ,  H01B 3/12 315 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/283 C ,  H01L 21/31 A ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 F ,  H01L 29/78 371
Fターム (77件)：
4G077AA03 ,  4G077BB02 ,  4G077BB10 ,  4G077DA05 ,  4G077EF02 ,  4G077HA11 ,  4G077SC01 ,  4M104AA01 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104HH20 ,  5F001AA17 ,  5F001AG27 ,  5F040DA19 ,  5F040DC01 ,  5F040DC10 ,  5F040ED03 ,  5F040FC05 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CB02 ,  5F045DC51 ,  5F045DC52 ,  5F045DC55 ,  5F045DC63 ,  5F045DP05 ,  5F045EB02 ,  5F045HA23 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF20 ,  5F058BF29 ,  5F058BF62 ,  5F058BG01 ,  5F058BJ01 ,  5F083FR05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA24 ,  5F083HA08 ,  5F083JA02 ,  5F083JA15 ,  5F083PR21 ,  5F083PR25 ,  5F103AA04 ,  5F103BB04 ,  5F103DD27 ,  5F103DD28 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH08 ,  5F103LL20 ,  5F103NN06 ,  5F103PP03 ,  5F103PP18 ,  5F103RR05 ,  5F103RR10 ,  5G303AA10 ,  5G303AB02 ,  5G303AB06 ,  5G303BA03 ,  5G303BA06 ,  5G303CA01 ,  5G303CB08 ,  5G303CB15 ,  5G303CB25 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303DA01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)
  • 強誘電体記憶素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-004685   出願人：旭化成工業株式会社, 垂井康夫

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