特許

J-GLOBAL ID：200903015918029373

シリコン酸化膜の形成方法

発明者： 福山 俊一 ,  原田 秀樹 ,  申 大▲堤▼ ,  小松 由希
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  株式会社九州富士通エレクトロニクス
代理人 (1件)： 宇井 正一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-188156
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045605
出願日： 1993年07月29日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造工程で用いられるO2 プラズマ処理により酸化を受けることがなく、配線材料のアルミなどの腐食を伴わずに、有機SOGと同等以上の比較的厚膜で使用可能な無機膜を形成することができる方法を提供する。【構成】 シリコン酸化膜を形成するに際して、下地上にポリシラザンを塗布し、得られたポリシラザン膜をシリコン酸化膜に変成する。

請求項（抜粋）：

シリコン酸化膜を形成するに際して、下地上にポリシラザンを塗布し、得られたポリシラザン膜をシリコン酸化膜に変成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 51/00

FI (2件)：

H01L 21/90 P ,  H01L 29/28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 平坦化膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-163449   出願人：東京応化工業株式会社
• 液晶表示装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-341469   出願人：触媒化成工業株式会社