特許

J-GLOBAL ID：200903015940245527

炭化珪素半導体からなる半導体装置

発明者： 今泉 昌之 ,  樽井 陽一郎 ,  杉本 博司 ,  大塚 健一 ,  高見 哲也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-096435
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299625
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 装置内にショットキーダイオードを組み込み、該ショットキーダイオードをスイッチング動作時の逆並列ダイオードとして用いる炭化珪素半導体からなる半導体装置を実現することを目的とする。【解決手段】 耐圧構造をもつユニポーラ型の三端子半導体装置として、絶縁ゲート電界効果トランジスタ、接合型電界効果トランジスタ、静電誘導トランジスタを用い、接合障壁ショットキーダイオード、あるいはマージドピンショットキーダイオードを半導体装置のドリフト層に形成するものである。

請求項（抜粋）：

耐圧構造をもつユニポーラ型の三端子半導体装置のドリフト層にショットキーダイオードを形成したことを特徴とする炭化珪素半導体からなる半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/78 657 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/161 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/80 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (7件)：

H01L 29/78 657 D ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/163 ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/52 ,  H01L 29/80 S ,  H01L 29/80 B

Fターム (23件)：

4M104AA10 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104FF01 ,  4M104FF06 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH18 ,  4M104HH20 ,  5F102FB01 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GM02

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 炭化けい素ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-132479   出願人：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-320705   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (2件)

• 炭化けい素ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-132479   出願人：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-320705   出願人：松下電器産業株式会社