可視光半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：丸山敏之 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-126951
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327110
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】リッジ埋め込み型半導体レーザにおいて、コンタクト層とクラッド層間のエッチングレートの相違に起因する結晶の損傷や素子の劣化を阻止する。【構成】 n-GaAs基板1上に、n-(Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>)InPクラッド層3、n-(Al<SB>Z</SB>Ga<SB>1-Z</SB>)InP活性層4、及びストライプ状のリッジ部10を有するp-(Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>)InPクラッド層5が形成されると共に、前記クラッド層5のリッジ部10上にはp-GaInPコンタクト層7、リッジ部10両側にはn-GaAs電流阻止層8・8を形成している。更に、p-(Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>)InPクラッド層5とp-GaInPコンタクト層7の間には、p-(Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>)InPクラッド層5よりもアルミニウム組成比Y(0<Y<X)の小さいp-(Al<SB>Y</SB>Ga<SB>1-Y</SB>)InP中間層6が形成されている。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板(1)上に、第1導電型クラッド層(3)、活性層(4)、及びストライプ状のリッジ部(10)を有する第2導電型クラッド層(5)が形成されると共に、前記第2導電型クラッド層(5)のリッジ部(10)上には第2導電型コンタクト層(7)、リッジ部(10)両側には第1導電型電流阻止層(8)(8)を形成した可視光半導体レーザにおいて、前記第2導電型クラッド層(5)はアルミニウムを含む化合物から形成され、第2導電型クラッド層(5)とコンタクト層(7)の間には、第2導電型クラッド層(5)と同一の化合物からなり、且つ第2導電型クラッド層(5)よりもアルミニウム組成比の小さい第2導電型中間層(6)が形成されていることを特徴とする可視光半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-346603 出願人：富士通株式会社
特開平2-033987
特開平4-085981

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