特許

J-GLOBAL ID：200903015969922161

抵抗素子、及び、同抵抗素子を備えた半導体装置、及び同半導体装置の製造方法

発明者： 葛西 憲太郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松尾 憲一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-015086
公開番号（公開出願番号）：特開2007-200983
出願日： 2006年01月24日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：

【課題】抵抗値の変動を可及的に抑制することができる抵抗素子、及び、同抵抗素子を備えた半導体装置、及び、同半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に第1の前記絶縁膜を所定形状に形成すると同時に、第1の絶縁膜によりMIS構造を有する素子における絶縁部を形成し、この絶縁膜上に導電膜を形成し、この導電膜を被覆するように第2の絶縁膜を形成することにより、同一半導体基板上に、所定の導電率を有する導電膜の表面のうち電極との接合部を除く全ての表面が、シリコン酸化膜よりも水素の透過率が低い絶縁膜で被覆された抵抗素子と、MIS構造を有する素子とを備えた半導体装置を製造する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

所定の導電率を有する導電膜からなる抵抗素子において、 前記導電膜は、電極との接合部以外の全ての表面が、シリコン酸化膜よりも水素の透過率が低い絶縁膜により被覆されていることを特徴とする抵抗素子。

IPC (6件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L27/04 P ,  H01L27/06 102A ,  H01L21/90 K

Fターム (35件)：

5F033HH09 ,  5F033HH18 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK04 ,  5F033KK05 ,  5F033LL04 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033VV09 ,  5F033XX00 ,  5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AR09 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA07 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB11 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-179318   出願人：ソニー株式会社