特許

J-GLOBAL ID：200903015978637100

半導体装置

発明者： 中村 正志 ,  白木 啓之 ,  中筋 郁雄
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-281441
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129786
出願日： 1995年10月30日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 銅合金からなるリードフレームを備えた表面実装型の半導体装置において、クラックが発生することなく、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 銅合金からなるリードフレーム1を備え、エポキシ樹脂組成物の硬化物によって封止層2を形成したいる。上記エポキシ樹脂組成物がエポキシ樹脂、硬化剤、及び、結晶シリカを含む無機充填剤を含有し、さらに、上記硬化物の線膨張係数が12〜20ppm/°Cの範囲、及び、硬化物の吸湿率が、直径50mm、厚み3mmの円盤成形物を85°C85%RHで72時間処理した際に、0.13重量%以下となる。上記エポキシ樹脂組成物中のエポキシ樹脂はビフェニル型エポキシ樹脂、硬化剤はフェノール化合物、無機充填剤は85〜90重量%の範囲、結晶シリカは、無機充填剤の全体に対し20重量%以上が適している。

請求項（抜粋）：

銅合金からなるリードフレーム(1)を備え、エポキシ樹脂組成物の硬化物によって封止層(2)を形成した表面実装型の半導体装置であって、上記エポキシ樹脂組成物がエポキシ樹脂、硬化剤、及び、結晶シリカを含む無機充填剤を含有し、さらに、上記硬化物の線膨張係数が12〜20ppm/°Cの範囲、及び、硬化物の吸湿率が、直径50mm、厚み3mmの円盤成形物を85°C85%RHで72時間処理した際に、0.13重量%以下となることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/20 NHQ ,  C08L 63/00 NJF ,  C08L 63/00 NKU

FI (4件)：

H01L 23/30 R ,  C08G 59/20 NHQ ,  C08L 63/00 NJF ,  C08L 63/00 NKU

引用特許：

審査官引用 (2件)

• エポキシ樹脂組成物及びその製造方法及びそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-006268   出願人：松下電工株式会社
• 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-341252   出願人：日立化成工業株式会社