特許

J-GLOBAL ID：200903015980737708

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 大形 公士 ,  田中 勉 ,  竹井 美智子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-141625
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335668
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 薄膜トランジスタの製造方法に関し、ポーラスな陽極酸化膜の除去工程において、ゲート電極及びゲートバスラインに孔が発生することを防止する。【解決手段】 絶縁性基板1上に設けた多結晶シリコン膜3上にゲート絶縁膜4を介してゲート電極5及びゲートバスライン8を形成し、少なくともゲート電極5の側壁に陽極酸化膜7を形成したのち、ゲート電極5の側壁に設けた陽極酸化膜7を除去する前に、ゲートバスライン8と陽極酸化用の電源供給線10を電気的に切断する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に設けた多結晶シリコンパターン上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成すると共に、ゲートバスラインを形成し、少なくとも前記ゲート電極の側壁に陽極酸化膜を形成したのち、前記ゲート電極の側壁に設けた陽極酸化膜を除去する工程を備えた薄膜トランジスタの製造方法において、前記ゲートバスラインと陽極酸化用の電源供給線を電気的に切断したのち、前記ゲート電極の側壁に設けた陽極酸化膜を除去することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G09F 9/30 ,  G09F 9/35

FI (6件)：

H01L 29/78 627 Z ,  G09F 9/30 C ,  G09F 9/35 ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 616 M ,  H01L 29/78 619 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-236209   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-264995   出願人：ソニー株式会社