特許
J-GLOBAL ID：200903015984655730
容量内蔵型多層回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216533
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066563
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】基板本体の誘電率温度特性の絶対値を小さくして、基板強度に優れた容量内蔵型多層回路基板を提供する。【構成】本発明は、ガラス成分及び無機物フィラーから成る複数の誘電体層1a、1b・・・を積層し、その内部に金系、銀系又は銅系導体材料から成る所定配線パターン2及び容量発生パターン3を形成して、且つその表面に厚膜抵抗体膜6を形成した容量内蔵型多層回路基板10において、前記無機物フィラーは、アルミナ、粒径2〜10μmのペロブスカイト結晶構造で、負の温度特性を有する誘電体材料を含んでいる。
請求項（抜粋）：
ガラス成分及び無機物フィラーから成る誘電体層を複数積層するとともに、内部に金系、銀系又は銅系導体材料から成る内部配線パターン及び容量発生パターンを配して成る容量内蔵型多層回路基板において、前記無機物フィラーが、ペロブスカイト結晶構造で且つ誘電率の温度特性が負である粒径2〜10μmの誘電体材料を含むことを特徴とする容量内蔵型多層回路基板。
IPC (2件)：
引用特許：
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