特許

J-GLOBAL ID：200903015984705649

プラズマ処理装置

発明者： 滝 正和 ,  大寺 廣樹 ,  西川 和康 ,  友久 伸吾 ,  新谷 賢治 ,  大森 達夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-266828
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111496
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ室と処理室とを備えた2室構造のプラズマ処理装置において、プラズマが生成されるプラズマ室から処理室に高密度プラズマを導き、被処理物の高速処理を実現する。【解決手段】 ガスを用い、プラズマ室2の周囲に配置されたRFコイル22によって供給されるRF電力によりプラズマを生成する。この際、試料室1のステージ6に載置される試料7から遠い位置にあるRFコイル22のコイル端をアース電位に接続する。

請求項（抜粋）：

ガスを用いて、その周囲に配置された高周波コイルにより供給される高周波電力によりプラズマが生成されるプラズマ室と、試料が配置され、プラズマ処理が施される試料室と、前記プラズマ室と前記処理室との間に設けられ、前記プラズマ室から処理室に連通する孔を有する隔壁板と、前記処理室を排気する真空排気手段と、前記プラズマ室へガスを供給するガス供給手段とを備えるプラズマ処理装置において、前記高周波コイルの前記試料から遠い位置にあるコイル端をアース電位に接続したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (6件)：

H05H 1/46 L ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-050536   出願人：三菱電機株式会社
• プラズマ生成を増強するための電極を備えた誘導結合プラズマ反応装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-136831   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• プラズマ処理方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-091812   出願人：日電アネルバ株式会社