画像形成物及びその画像形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-274747
公開番号（公開出願番号）：特開2005-125754
出願日： 2004年09月22日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

【課題】本発明の目的は、保存性や保護層の耐擦過性、接着性の劣化を伴うことなく、帯電防止効果、静電気の発生に対する搬送適性やさばき性が改良された画像形成物及びその画像形成方法を提供することである。【解決手段】基材上に受像層を有する熱転写受像シートに感熱転写により画像を形成した後、基材シートの一方の面の少なくとも一部に、剥離可能な保護転写層を設けた熱転写シートを用いて保護転写層を転写する感熱転写方式を用いて作製される画像形成物であって、該保護転写層が転写される前の該熱転写受像シートの塩橋法により測定される電気抵抗が1×108〜1×1012Ω/□であり、かつ、転写した該保護転写層を有し、画像形成面とは反対側に塗設された層を除去した画像形成物の受像面側の塩橋法により測定される電気抵抗が、1×108〜1×1012Ω/□であることを特徴とする画像形成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基材上に受像層を有する熱転写受像シートに感熱転写により画像を形成した後、基材シートの一方の面の少なくとも一部に、剥離可能な保護転写層を設けた熱転写シートを用いて保護転写層を転写する感熱転写方式を用いて作製される画像形成物であって、該保護転写層が転写される前の該熱転写受像シートの塩橋法により測定される電気抵抗が1×108〜1×1012Ω/□であり、かつ、転写した該保護転写層を有し、画像形成面とは反対側に塗設された層を除去した画像形成物の受像面側の塩橋法により測定される電気抵抗が、1×108〜1×1012Ω/□であることを特徴とする画像形成物。

IPC (1件)：

B41M5/38

FI (1件)：

B41M5/26 101H

Fターム (14件)：

2H111AA10 , 2H111AA27 , 2H111AA33 , 2H111AA52 , 2H111CA03 , 2H111CA04 , 2H111CA05 , 2H111CA12 , 2H111CA23 , 2H111CA25 , 2H111CA31 , 2H111CA33 , 2H111CA41 , 2H111CA50

引用特許：

出願人引用 (9件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-353727 出願人：富士通株式会社
熱転写シート
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-273506 出願人：大日本印刷株式会社
熱転写シート
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-279015 出願人：大日本印刷株式会社

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