特許
J-GLOBAL ID：200903015999699700

半導体装置の製造方法

発明者：
青 木 勝 美

青 木 勝 美 について


出願人/特許権者：
川崎製鉄株式会社

川崎製鉄株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-167827
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029851
出願日： 1993年07月07日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【目的】高い配向性を有するAl層を形成することができ、エレクトロマイグレーション耐性に優れた配線層を有する半導体装置の製造方法の提供。【構成】コンタクト孔を開口した絶縁膜の上、およびコンタクト孔内壁に第1下地層と、第2下地層とを形成した後、第2下地層の上に高融点金属または高融点金属化合物層を堆積し、コンタクト孔の内部以外の領域の高融点金属または高融点金属化合物層を選択的に除去し、さらに該第2下地層の表層に生じた欠陥層を除去し、熱処理によって第2下地層内の欠陥を回復させるとともに、第1下地層とシリコン基板とを反応させてシリサイド化させた後、AlまたはAl合金層を形成する半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上の絶縁膜にコンタクト孔を開口する第1工程、該絶縁膜の上およびコンタクト孔内壁に高融点金属からなる第1下地層を形成し、さらに第1下地層の上に高融点金属ナイトライドからなる第2下地層を形成する第2工程、前記第2下地層の上に高融点金属または高融点金属化合物層を堆積する第3工程、コンタクト孔の内部以外の領域の高融点金属または高融点金属化合物層を選択的にエッチングして除去する第4工程、該エッチングによって第2下地層の表層に生じた欠陥層を除去する第5工程、熱処理によって第2下地層内の欠陥を回復させるとともに、第1下地層の高融点金属とシリコン基板とを反応させてシリサイド化させる第6工程、ならびにAlまたはAl合金層を形成する第7工程を有する半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205
FI (2件)：
H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 R
引用特許：
審査官引用 (2件)

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