特許

J-GLOBAL ID：200903016002054328

電子ビームテスタにおける絶縁性膜の帯電低減方法

発明者： 上田 耕司
出願人/特許権者： 株式会社アドバンテスト
代理人 (1件)： 草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-084599
公開番号（公開出願番号）：特開平6-294848
出願日： 1993年04月12日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】 LSIその他の半導体装置の表面に形成される電極の電位を測定するに際して、測定されるべき半導体装置の表面を覆っている保護絶縁膜に生ずる帯電電荷を少なくする電子ビームテスタにおける絶縁性膜の帯電低減方法を提供する。【構成】 電子ビームテスタ40を使用して半導体装置LSIの表面電位を測定するに際して、観察倍率に自動的に連動して2次電子引出電界強度を変化せしめる電子ビームテスタにおける絶縁性膜の帯電低減方法。

請求項（抜粋）：

電子ビームテスタを使用して半導体装置の表面電位を測定するに際して、観察倍率に自動的に連動して試料より放出される2次電子の引出電界強度を変化せしめることを特徴とする電子ビームテスタにおける絶縁性膜の帯電低減方法。

IPC (2件)：

G01R 31/302 ,  H01L 21/66

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 走査電子顕微鏡
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-027991   出願人：日本電子株式会社