特許
J-GLOBAL ID：200903016063681058

半導体記憶装置及びそのデータ管理方法

発明者：
溝口 慎一

溝口 慎一 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-244002
公開番号（公開出願番号）：特開平11-085609
出願日： 1997年09月09日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 データ転送時のオーバヘッドを減少させて、データ転送速度の低下を減少させることができる半導体記憶装置及びそのデータ管理方法を得る。【解決手段】 メモリ部6がクラスタ単位でデータ転送を行うことができるAND型のフラッシュメモリで形成され、キャッシュメモリの働きをするバッファ部5とメモリ部6との間でのデータ転送をクラスタ単位で行うようにした。
請求項（抜粋）：
情報処理機器等からなるホストシステム装置に使用される不揮発性メモリを用いた半導体記憶装置において、上記ホストシステム装置とのインタフェースを行うインタフェース部と、クラスタ単位でデータ転送を行う、複数の不揮発性メモリで構成されたメモリ部と、上記インタフェース部を介してホストシステム装置とメモリ部との間で行われるデータ転送時にキャッシュメモリとして使用される、揮発性メモリで形成されたバッファ部と、上記ホストシステム装置からの指令に従って上記メモリ部及びバッファ部の制御を行う制御部とを備え、該制御部は、上記バッファ部をメモリ部の1クラスタに対応させた各セクタアドレスを設けて使用することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G06F 12/02 510 ,  G06F 3/08 ,  G11C 16/02
FI (3件)：
G06F 12/02 510 A ,  G06F 3/08 H ,  G11C 17/00 601 T
引用特許：
審査官引用 (4件)
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