特許
J-GLOBAL ID：200903016064287442
光学活性なアシルスルホンアミド類の製造法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 裕貢
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-208346
公開番号（公開出願番号）：特開平10-045705
出願日： 1996年08月07日
公開日（公表日）： 1998年02月17日
要約：
【要約】【課題】 カルボニル基のα位にオキシ基置換された不斉炭素を有するアシルスルホンアミド誘導体の製造法。【解決手段】 α位オキシ基置換不斉炭素を有する、一般式(III):【化1】で表わされる光学活性なカルボン酸に、塩素化剤1〜2当量を不活性溶媒中、-30°C〜室温で反応させ、一般式(II):【化2】で表わされる酸塩化物とした後、さらに一般式(IV):【化3】で表わされる化合物1〜2当量を-30°C〜室温で、不活性溶媒中2〜8当量の無機塩基の存在下に反応させるか、または一般式(IV)で表される化合物の金属塩1〜2当量を不活性溶媒中塩基不存在下に反応させることを特徴とする、一般式(I):【化4】で表わされる、95%以上の光学純度を持つアシルスルホンアミド類の製造法。
請求項（抜粋）：
α位オキシ基置換不斉炭素を有する、一般式(III):【化1】(式中、*は不斉炭素原子の存在位置を示し、R1は置換基を有していてもよいフェニルを示し、R2は置換されていてもよい低級アルキル、置換されていてもよいアリールまたは置換されていてもよいヘテロアリールを示す)で表わされる光学活性なカルボン酸に、塩素化剤1〜2当量を不活性溶媒中、-30°C〜室温で反応させ、一般式(II):【化2】(式中、R1とR2は前記と同意義である)で表わされる酸塩化物とした後、さらに一般式(IV):【化3】(式中、R3は置換されていてもよいアリールを示し、R4は水素原子または低級アルキルを示す)で表わされる化合物1〜2当量を-30°C〜室温で、不活性溶媒中2〜8当量の無機塩基の存在下に反応させるか、または一般式(IV)で表される化合物の金属塩1〜2当量を不活性溶媒中塩基不存在下に反応させることを特徴とする、一般式(I):【化4】(式中、*、R1、R2、R3およびR4は前記と同意義である)で表わされる、95%以上の光学純度を持つアシルスルホンアミド類の製造法。
IPC (6件)：
C07C311/51
, B01J 31/02 102
, C07B 53/00
, C07C303/40
, C07B 61/00 300
, C07M 7:00
C07C311/51
, B01J 31/02 102 X
, C07B 53/00 G
, C07C303/40
, C07B 61/00 300
