半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-289571
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134954
出願日： 1995年11月08日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】埋め込み素子分離法を用いた半導体装置において、コンタクト孔を形成する際、リソグラフィ法を用いると、マスクずれが生じた場合に素子分離領域のエッジ部分もエッチングしてしまい、このコンタクト孔に配線層を形成すると配線層と半導体基板とがショートするといった現象が生じ、ジャンクションリーク等の問題が発生していた。【解決手段】素子分離領域107のSDG領域と接する素子分離領域のエッジ部分に酸化膜エッチングで選択性を有する膜を設け、コンタクト孔112を形成する際、エッチングストッパーとして機能させることにより、素子分離領域のエッジ部がエッチングされることを防ぎ、コンタクト孔112に形成された配線層113とシリコン基板101とが接触するのを回避する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に設けられた溝に第1の絶縁物質を充填して形成された素子分離領域と、前記素子分離領域上部のエッジ部に形成された、第2の絶縁物質からなる膜部と、前記半導体基板上に形成された第2の絶縁物質とエッチング選択性を有する第3の絶縁物質からなる層間絶縁膜とを具備し、前記第2の絶縁物質よりなる膜部がコンタクト孔形成時にエッチングストッパーとしての機能を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/76 , H01L 21/28 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/76 L , H01L 21/28 L , H01L 21/90 C , H01L 21/90 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-063748 出願人：株式会社東芝
特開昭62-190847
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-227600 出願人：株式会社東芝

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