半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-172867
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008304
出願日： 1997年06月13日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】微細ホールへ導電材料をボイド無く埋め込める半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】コンタクトホールにバリア膜であるチタン膜4、窒化チタン膜5を形成し、ウェッティング層のチタン膜6、アルミ合金膜7、チタン薄膜8を真空を破らずに順次形成する。そして、さらに真空を破らずに400〜500°Cの熱処理を行うことにより、コンタクトホール内をアルミ合金膜7で埋め込む。チタン薄膜8を形成することにより、熱処理工程で、配線上部にアルミとチタンの合金層9を形成し、アルミ原子の拡散量を抑制する。これにより、コンタクトホール内部が埋め込まれる前に、ホール上部が塞がりボイドが形成されるのを防ぐ。よって、ボイド無く微細コンタクトホールの埋め込みが可能となる。

請求項（抜粋）：

基板上に導電領域または導電体配線を形成する工程と、前記導電領域または導電体配線上に接続孔を有する絶縁体層を形成する工程と、前記接続孔を覆ってさらに導電体配線材料を成膜する工程と、を有し、さらに、前記基板を熱処理することにより前記接続孔を前記導電体配線材料で埋め込む半導体装置の製造方法において、前記熱処理の前に、前記成膜された導電体配線材料表面に、前記熱処理時において前記導電体を形成する原子の拡散を抑制する処理を施す、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/90 D , H01L 21/28 301 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-289251 出願人：新日本製鐵株式会社
特開平2-079433

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