特許

J-GLOBAL ID：200903016089969173

半導体装置

発明者： 猪野 益充
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-182220
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017788
出願日： 1995年06月27日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】 上層の水素遮断用膜の応力増加に伴ってアルミニウム配線層全体に生じる膜応力を低減させて断線の発生を防止する。【構成】 石英基板10の上に絶縁膜(PSG)11を介してアルミニウム(Al)配線層13が形成され、更にこのアルミニウム配線層13上に絶縁膜(PSG)14を介して、プラズマCVD法により形成された、水素遮断用のシリコン窒化膜(P-SiN)15が形成されている。アルミニウム配線層13の直線部分の線長(A)が100μm以内の部分において、絶縁膜11に石英基板10に達する段差用開口部12が形成されている。アルミニウム配線層13はこの段差用開口部12に沿って形成されており、段差部(Al配線段差部13a)が形成されている。段差用開口部12の配線方向の長さ(B)は100μm未満となっている。このような立体構造により、シリコン窒化膜15の応力増加に伴ってアルミニウム配線層13に生じる膜応力が緩和される。

請求項（抜粋）：

基板上に第1の層間絶縁膜を介して全長が100μm以上の長さを有するアルミニウム配線層が形成されると共に、前記アルミニウム配線層上に第2の層間絶縁膜を介して水素遮断用膜が形成されてなる半導体装置であって、前記アルミニウム配線層が、長さが100μm以内の部分において、前記水素遮断用膜の応力増加に伴って生じた膜応力を緩和するための段差部を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/88 N ,  H01L 29/78 612 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-216555
  
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-084538   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭61-053745