特許
J-GLOBAL ID：200903016098663532
微小トンネル接合部の製造方法及び微小トンネル接合素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-256177
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107340
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 従来は、トンネル接合を介しリード電極に接続する孤立電極領域である島の大きさを、リソグラフィの限界分解能δまで小さくできず、単一電子素子の動作温度を高くできなかった。【解決手段】 中空に懸架したマスクの孔を通して3回以上蒸着角度を変化させて蒸着成膜を行って複数膜の重複部を得、上記複数介の蒸着成膜の合間に同一蒸着装置中でトンネルバリアを成長させて、前記重複部にトンネル接合部を形成する。又、複数回の蒸着成膜の合間に同一蒸着装置中でゲート絶縁膜を成長させる。
請求項（抜粋）：
中空に懸架したマスクの孔を通し、3回以上蒸着角度を変化させて基板上に金属蒸着膜を順次成膜して複数の前記蒸着膜が部分的に重複する重複部を形成し、前記複数回の蒸着成膜工程間に同一蒸着装置内で前記蒸着膜の前記重複部が形成される領域にトンネルバリアを成長させることにより、前記重複部にトンネル接合を形成することを特徴とする微小トンネル接合部の製造方法。
引用特許：
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