放射線2次元検出器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西岡義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-278931
公開番号（公開出願番号）：特開2000-111652
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 X線の入射により半導体層で生成される電子-正孔対(電荷)が、入射X線量に応じて自動的に制限されるようにする。【解決手段】 X線を感知し電荷に変換する半導体層1とスイッチング素子マトリックス4とが一体化されており、半導体層1の信号電極3に対する共通のバイアス電極2を、抵抗Rを介してバイアス電源Eに接続した。

請求項（抜粋）：

一方面にバイアス電極を、他方面に検出素子が縦横に配列するように形成されたマトリックス状の信号電極を有する、放射線像、または、放射線像の変換された光像を電荷の画像に変換する半導体層と、前記半導体層の信号電極を2次元的に走査し、半導体層に蓄えられた電荷を読み出すスイッチング素子マトリックスとを備えた放射線2次元検出器であって、前記半導体層のバイアス電極をインピーダンス素子を介してバイアス電源に接続したことを特徴とする放射線2次元検出器。

IPC (4件)：

G01T 1/24 , G01T 1/00 , H01L 27/14 , H01L 31/09

FI (4件)：

G01T 1/24 , G01T 1/00 B , H01L 27/14 K , H01L 31/00 A

Fターム (43件)：

2G088BB05 , 2G088EE03 , 2G088FF02 , 2G088FF17 , 2G088GG21 , 2G088JJ40 , 2G088KK32 , 2G088LL15 , 4M118AA02 , 4M118AA08 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CB05 , 4M118CB07 , 4M118CB11 , 4M118CB14 , 4M118FA06 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118GA10 , 5F088AA09 , 5F088AA11 , 5F088AB04 , 5F088AB05 , 5F088AB09 , 5F088BA05 , 5F088BA20 , 5F088BB03 , 5F088BB07 , 5F088CA01 , 5F088CA05 , 5F088CB05 , 5F088DA03 , 5F088DA05 , 5F088FA04 , 5F088FA05 , 5F088GA02 , 5F088HA15 , 5F088KA01 , 5F088KA02 , 5F088KA08 , 5F088KA10 , 5F088LA08

引用特許：

審査官引用 (2件)

X線平面検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-161977 出願人：株式会社東芝
特開昭63-200088

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