不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-283868
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213086
出願日： 1996年10月25日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】消費電力が少なく、動作速度が速く、回路規模の小さなフラッシュEEPROMを提供する。【解決手段】ビット消去モードにおいて、共通ソース線SLとビット線BLnの電位はグランドレベルにされ、ビット線BLmには+5Vが供給される。ワード線WLmには+15Vが供給され、ワード線WLnの電位はグランドレベルにされる。メモリセル1cについては消去動作が行われる。メモリセル1aについては、フローティングゲートFG中の電子はコントロールゲートCG側へ引き抜かれず、消去動作は行われない。メモリセル1dについても消去動作は行われない。メモリセル1bについては、チャネルCHがオフしているため、書き込み動作も消去動作も行われない。

請求項（抜粋）：