特許
J-GLOBAL ID:200903016168751426

セラミック回路基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 祥泰
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-327894
公開番号(公開出願番号):特開平10-154858
出願日: 1996年11月21日
公開日(公表日): 1998年06月09日
要約:
【要約】【課題】 抵抗体表面にフクレを生じさせることなくセラミック回路基板を製造することができる,セラミック回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】 導体層2を有するセラミック焼結基板7の表面に,導体層2の一部を被覆するようにLaB6 系等の抵抗ペースト10を配置し,加熱焼成することにより,抵抗ペーストを焼結させて抵抗体を形成するとともに抵抗体を導体層の被覆部分21及びセラミック焼結基板7と接合する。導体層における被覆部分の最大厚みは,18μm以下である。
請求項(抜粋):
導体層を有するセラミック焼結基板の表面に,上記導体層の一部を被覆するように抵抗ペーストを配置し,加熱焼成することにより,上記抵抗ペーストを焼結させて抵抗体を形成するとともに該抵抗体が導体層の一部と接合するセラミック回路基板の製造方法において,上記導体層における上記抵抗ペーストにより被覆される被覆部分の最大厚みは,18μm以下であることを特徴とするセラミック回路基板の製造方法。
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平3-089590
  • 特開平2-244692
  • セラミック回路基板
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-071387   出願人:株式会社住友金属エレクトロデバイス, 日本電装株式会社

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