セラミック回路基板

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小松秀岳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-071387
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274435
出願日： 1995年03月29日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】電子回路部品として使用されるセラミック回路基板の特性を改善する。【構成】基板表面の配線導体層がW又は/およびMoとIr,Pt,Ti,Crの1種又は2種以上で構成されている配線導体層上にメッキ配線を形成したもの、およびW又は/およびMoよりなる内層配線導体を有し、その基板表面に露出するスルーホール部に、W又は/およびMoとIr,Pt,Ti,Crの1種又は2種以上で構成される中間金属層の配線導体を介して基板表面にメッキ配線を形成したもので、配線導体はW又は/およびMo40〜90wt%、Ir,Pt,Ti,Crの1種又は2種以上10〜60wt%で構成されている回路基板である。メッキ配線はCuメッキ配線がよい。【効果】この発明はセラミック基板の表層導体と、この導体上に形成したCuメッキ皮膜の膜質を向上させることにより、メッキ膜の接合性能を改善することができ、信頼性が高く、かつ生産性に優れたセラミック回路基板が得られる。

請求項（抜粋）：

基板表面の配線導体がW又は/およびMoとIr,Pt,Ti,Crの1種又は2種以上で構成されている配線導体層上にメッキ配線を形成してなることを特徴とするセラミック回路基板。

IPC (3件)：

H05K 1/09 , H05K 3/24 , H05K 3/46

FI (4件)：

H05K 1/09 B , H05K 3/24 A , H05K 3/46 N , H05K 3/46 S

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-123795
特開昭55-138041
特開平3-280491

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