特許
J-GLOBAL ID：200903016205534619

静電保護素子及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法

発明者：
和田 伸一

和田 伸一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 松尾 憲一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-002802
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197495
出願日： 2004年01月08日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：
【課題】小型化が可能で、立ち上がり電圧を自由に設計でき、かつ静電耐圧に優れた静電保護素子を提供するとともに、この静電保護素子とHEMTなどの能動素子とを同一基板上に設けた半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体基板上に、第1の導電型不純物を含有する第1の能動層を形成し、この第1の能動層に第1の電極を設ける一方、前記第1の能動層の一部領域上に、第2の導電型不純物を含有する第2の能動層を形成するとともに、この第2の能動層上に第1の導電型不純物を含有する第3の能動層を形成し、この第3の能動層に第2の電極を形成する。また、かかる構成の静電保護素子を、高電子移動度トランジスタとともに、能動層を形成した同一の基板上に設ける。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、第1の導電型不純物を含有する第1の能動層を形成し、この第1の能動層に第1の電極を設ける一方、前記第1の能動層の一部領域上に、第2の導電型不純物を含有する第2の能動層を形成するとともに、この第2の能動層上に第1の導電型不純物を含有する第3の能動層を形成し、この第3の能動層に第2の電極を形成したことを特徴とする静電保護素子。
IPC (5件)：
H01L21/338 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (3件)：
H01L29/80 P ,  H01L29/80 H ,  H01L27/04 H
Fターム (20件)：
5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH13 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F102FA06 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL04 ,  5F102GM06 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (1件)

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