特許
J-GLOBAL ID：200903016211821794
面発光型半導体素子の製造方法及び面発光型半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 柴田 昌聰
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-142941
公開番号（公開出願番号）：特開2006-319270
出願日： 2005年05月16日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：
【課題】 所望の光学特性を有する面発光型半導体素子の製造方法及び面発光型半導体素子を提供する。【解決手段】 面発光型半導体素子1は、第1のDBR半導体層5aと第2のDBR半導体層5bとが交互に配列された第1のDBR部5と、第2のDBR部21と、活性層9及び電流狭窄層15を含むメサ部20とを備える。活性層9はIII-V族化合物半導体から構成される。電流狭窄層15は、Alを含むIII-V族化合物半導体層13と、Alを含む酸化物層11とを有する。メサ部20の頂面14は、<001>方向に沿って延びる第1及び第2の辺r1,r2と、<010>方向に沿って延びる第3及び第4の辺r3,r4とを含む形状を有する。メサ部20の底面16は、<001>方向に沿って延びる第1及び第2の辺p1,p2と、<010>方向に沿って延びる第3及び第4の辺p3,p4とを含む形状を有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体基板の主面上に、第1のDBR半導体層と第2のDBR半導体層とが交互に配列された第1のDBR部と、前記第1のDBR部上に設けられIII-V族化合物半導体から構成される活性層と前記第1のDBR部上に設けられAlを含むIII-V族化合物半導体層とを有する半導体領域と、前記半導体領域上に設けられた第2のDBR部と、を形成する工程と、
<001>方向に沿って延びる第1及び第2の辺と、<010>方向に沿って延びる第3及び第4の辺と、を含むパターン形状を有するフォトマスクを用いて、前記第2のDBR部上にエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクを用いて、前記半導体領域をウェットエッチングすることにより、前記半導体領域からメサ部を形成する工程と、
前記メサ部の側面を酸素雰囲気に晒すことにより、前記III-V族化合物半導体層から電流狭窄層を形成する工程と、
を含む、面発光型半導体素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC35
, 5F173AC42
, 5F173AC52
, 5F173AF96
, 5F173AH04
, 5F173AP32
, 5F173AP67
, 5F173AR55
