特許
J-GLOBAL ID：200903001481142590
面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-027671
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223975
出願日： 1997年02月12日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 製造が容易で再現性が高く、電極のコンタクト抵抗を低減し、発光効率の高い面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】 本発明の第1の特徴は、基板上に、少なくとも、下部半導体多層反射膜と、活性層と、上部半導体多層反射膜とを順次積層し、発光領域上に選択的に上部多層反射膜からなる半導体柱状構造を形成し、この半導体柱状構造に近接して、上部多層反射膜にコンタクトするように第1の電極を形成するとともに、さらに、これに近接して、下部半導体多層反射膜が露呈するように開口を形成し、これに第2の電極を形成した面発光型半導体レーザ装置において、前記開口に露呈する下部半導体多層反射膜を含む光導波路を形成しない部分に、前記下部半導体多層反射膜と同一導電型の不純物を高濃度に含有する高濃度不純物領域を形成したことにある。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも、下部半導体多層反射膜と、活性層と、上部半導体多層反射膜とを、順次積層し、発光領域上に選択的に上部多層反射膜からなる半導体柱状構造を形成し、この半導体柱状構造に近接して、上部多層反射膜にコンタクトするように第1の電極を形成するとともに、さらに、下部半導体多層反射膜が露呈するように開口を形成し、この開口内に露呈する領域に第2の電極を形成した面発光型半導体レーザ装置において、前記開口内に露呈する下部半導体多層反射膜を含む光導波路を形成しない部分に、前記下部半導体多層反射膜と同一導電型の不純物を高濃度に含有する高濃度不純物領域を形成したことを特徴とする面発光型半導体レーザ装置。
引用特許：
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