特許
J-GLOBAL ID：200903016214031492

半導体装置の製造方法

発明者：
地割 信浩

地割 信浩 について

, 
今井 伸一

今井 伸一 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-302532
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145111
出願日： 1997年11月05日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 コンタクト抵抗の増加を防止しながらコンタクトホール底部に堆積したポリマー膜を除去する。【解決手段】 基板にバイアス電圧を与えながら、フルオロカーボンガスを含むガスから生成したプラズマを用いて酸化膜をエッチングする(ステップS1)。反応室に酸素ガスを導入し(ステップS2)、ガス圧力を調整(ステップS3)した後、酸素プラズマを生成し(ステップS4)、基板にバイアス電圧を与えない状態で反応室からフッ素を除去するフッ素除去処理工程を行う(ステップS5)。次に、基板にバイアス電圧を印加しながら、酸素プラズマを用いて基板上に残存するポリマーを除去する酸素プラズマ処理工程を行う(ステップS6、7)。
請求項（抜粋）：
シリコン領域を少なくとも表面に有する基板上に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上にレジストパターンを形成する工程と、プラズマエッチング装置の反応室内に設けられた電極上に前記基板を配置し、前記基板にバイアス電圧を与えながら、フルオロカーボンガスを含むガスから生成したプラズマを用いて前記酸化膜をエッチングする工程と、前記基板にバイアス電圧を与えない状態で、前記反応室内に酸素プラズマを生成し、それによって前記反応室からフッ素を除去するフッ素除去処理工程と、を包含することを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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