接続孔の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-029599
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050986
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【課題】 SiNエッチング停止膜7を用いる自己整合コンタクト・プロセスにおいて、選択比確保に必要なフルオロカーボン(FC)系保護膜11を後工程で十分に除去し、コンタクト不良やゲート電極3と上層配線との短絡を防止する。【解決手段】レジスト・パターン9をマスクとし、フルオロカーボン系ガスを用いてSiOx層間絶縁膜8をドライエッチングすると、SiNエッチング停止膜7の表面にFC系保護膜11が堆積してエッチングの進行が事実上停止する。そこで、O2 プラズマ処理を行ってFC系保護膜11を除去した後にSiNエッチング停止膜7の露出部を選択的にドライエッチングし、コンタクトホール10を完成させる。FC系保護膜11の除去と同時にレジスト・パターン9の全体を除去しても良い。

請求項（抜粋）：

基板上にSiN系材料からなるエッチング停止膜とSiOx系材料からなる層間絶縁膜とをこの順に積層する第1工程と、前記層間絶縁膜の上に接続孔パターンにならった有機膜パターンを形成する第2工程と、前記有機膜パターンをマスクとし、前記エッチング停止膜に対して選択比を確保しながら前記層間絶縁膜をドライエッチングする第3工程と、前記ドライエッチングに伴って前記エッチング停止膜の露出面上に堆積したカーボン系保護膜を酸素系化学種の関与するエッチング反応系を用いて除去する第4工程と、前記エッチング停止膜を選択的にエッチングして接続孔を完成させる第5工程とを有する接続孔の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , C30B 33/12 , H01L 21/28 , H01L 21/768 , H05H 1/46

FI (9件)：

H01L 21/302 F , C23F 4/00 C , C23F 4/00 D , C23F 4/00 E , C30B 33/12 , H01L 21/28 L , H05H 1/46 C , H01L 21/302 A , H01L 21/90 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-060755 出願人：ソニー株式会社
プラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-258614 出願人：ソニー株式会社
特開昭61-292323

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