特許
J-GLOBAL ID：200903016216618750
窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-116613
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308558
出願日： 1997年05月07日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体を用いた新規な面発光レーザ素子の構造と、面発光レーザ素子の製造方法とを提供する。【構成】 n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に活性層を有するダブルへテロ構造のレーザ素子で、n型窒化物半導体層若しくはp型窒化物半導体層の少なくとも一方の層内に誘電体多層膜よりなる反射鏡を形成して面発光レーザを実現する。
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に活性層を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記n型窒化物半導体層若しくはp型窒化物半導体層の少なくとも一方の層内に窒化物半導体と異なる材料よりなる反射鏡を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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