窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-222920
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088441
出願日： 1994年09月19日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】窒化ガリウム系化合物半導体を用いたレーザ素子の新規な構造と、その製造方法を提供することにより、紫外、青色レーザ素子を実現する。【構成】活性層5がn型クラッド層4とp型クラッド層6とで挟まれた構造を備える窒化ガリウム系化合物半導体よりなるレーザ素子において、前記活性層5よりp型クラッド層6側に、n型またはi型の窒化ガリウム系化合物半導体よりなる電流狭窄層7を備える。

請求項（抜粋）：

活性層がn型クラッド層とp型クラッド層とで挟まれた構造を備える窒化ガリウム系化合物半導体よりなるレーザ素子において、前記活性層よりp型クラッド層側に、n型またはi型の窒化ガリウム系化合物半導体よりなる電流狭窄層を備えることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (9件)

面発光半導体レーザ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-215233 出願人：富士通株式会社
薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-055962 出願人：株式会社東芝
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-179198 出願人：株式会社東芝

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