特許

J-GLOBAL ID：200903016219532309

双安定半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 植之原 裕行 ,  高橋 亮 ,  河村 裕一 ,  岩村 英俊
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-180521
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038195
出願日： 1993年07月21日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 活性層として多重量子井戸構造を有する双安定半導体レーザにおいて、吸収飽和の回復時間を10ピコ秒より短くすることにより、数10ギガヘルツの繰り返し動作を実現する。【構成】 可飽和吸収領域を通常行われている結晶成長温度よりも低温(150°C〜400°C)で成長することにより形成し、また可飽和吸収領域の成長後に通常の成長温度程度でアニールするか、あるいは可飽和吸収領域の成長中にp型元素またはBeを導入する。

請求項（抜粋）：

活性層として多重量子井戸構造を有し、この多重量子井戸層から可飽和吸収領域が構成されている双安定半導体レーザにおいて、前記多重量子井戸層が150°C〜400°Cで成長されたものであることを特徴とする双安定半導体レーザ。