研究者
J-GLOBAL ID:200901024891540781
更新日: 2022年07月05日
河村 裕一
カワムラ ユウイチ | Kawamura Yuichi
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所属機関・部署:
大阪府立大学 大学院工学研究科
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職名:
教授
その他の所属(所属・部署名・職名) (1件):
地域連携研究機構
研究分野 (2件):
結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (4件):
結晶成長
, 光デバイス
, 化合物半導体
, Applied Physics semiconductor phisics and devices
競争的資金等の研究課題 (4件):
半導体光量子効果デバイス
分子線成長半導体超格子の研究
epitaxial growth, quantum photonic devices
Study on Semiconductor Superlattices grown by Molecular Beam Epitaxy
MISC (192件):
InAsSbN quantum well laser diodes operating at 2 μm wavelength region on InP substrates. Jpn. J. Appl. Phys. 2005. 44. 33-36. L1112-L1114
Lasing characteristic of InGaAsSbN quantum well laser diodes grown on InP substrates. Jpn. J. Appl. Phys. 2005. vol.44, 8A, p.6000-60
Electroluminescence properties of InGaAsSbN quantum well diodes grown by molecular beam epitaxy. J. Vac. Soe. Japan. 2005. 48, No.3 p.28-31
Y Kawamura, T Nakagawa, N Inoue. Annealing effects on electroluminescence and laser operation of InGaAsSbN quantum well diodes grown on InP substrates. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS. 2004. 43. 10A. L1320-L1322
Y Kawamura, T Nakagawa, M Amano, K Ouchi, N Inoue. 2.43 mu m light emission of InGaAsSbN quantum well diodes grown on InP substrates. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS. 2004. 43. 4B. L530-L532
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特許 (4件):
変調器集積型分布帰還レーザー
双安定発光素子
光双安定素子
共鳴トンネル型フォトトランジスタ
書籍 (2件):
ナノ構造材料ハンドブック
1997
Handbook of Nanophuse Materials
Marcel Dekker Inc 1997
学歴 (4件):
- 1978 早稲田大学 理工学研究科 応用物理学
- 1978 早稲田大学
- 1976 早稲田大学 理工学部 応用物理学
- 1976 早稲田大学
学位 (1件):
博士(理学)
受賞 (1件):
2001 - 発明協会長賞
所属学会 (4件):
日本表面科学会
, 電気学会
, 日本真空協会
, 応用物理学会
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