特許
J-GLOBAL ID：200903016245695011

可飽和ブラッグ反射器を含む反射鏡を有する半導体レーザ

発明者：
ウー, ミン, シー.

ウー, ミン, シー. について

, 
シェン, ジーリン.

シェン, ジーリン. について


出願人/特許権者：
ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア

ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア について


代理人 (1件)： 長谷 照一 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-505117
公開番号（公開出願番号）：特表2003-521106
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2003年07月08日
要約：
【要約】【課題】 1000フェムト秒未満の短パルスを発生可能なレーザを提供する。【解決手段】 半導体レーザ(10)と、可飽和ブラッグ反射器(22)を備えた反射ミラーを有する光共振キャビティとを備えてなる、1000フェムト秒未満の短パルスを発生可能なレーザである。一つの実施態様では、光共振キャビティは外部キャビティ(24)であり、第二の実施態様では、それは内部キャビティである。内部キャビティは、内部キャビティ内の一対の回折ブラッグ反射器(50および52)の間に配置された反共振ファブリ-ペロ可飽和吸収体(46)を含んでいる。レーザ(44)は、さらに、光を内部キャビティ内の反共振ファブリ-ペロ可飽和吸収体(46)に向けて導く傾斜したモノリシックミラー(56)を含んでなる。
請求項（抜粋）：
半導体レーザと、 可飽和ブラッグ反射器を含む反射ミラーを有する光共振キャビティとを備えてなる1000フェムト秒未満の短パルスを発生可能なレーザ。
IPC (3件)：
H01S 5/065 ,  H01S 5/125 ,  H01S 5/343
FI (3件)：
H01S 5/065 ,  H01S 5/125 ,  H01S 5/343
Fターム (10件)：
5F073AA62 ,  5F073AA74 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073AB29 ,  5F073BA08 ,  5F073BA09 ,  5F073CA12 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM