特許

J-GLOBAL ID：200903016249056110

半導体基板の赤外線加熱方法及び赤外線加熱装置

発明者： 伊賀 雅夫 ,  藤村 修三
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-173490
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029844
出願日： 1993年07月14日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板の赤外線加熱方法及びそれに用いる赤外線加熱装置に関し、被処理基板の加熱温度の面内分布を十分に均一化することを目的とする。【構成】 密閉された処理容器1内に配置した半導体基板2に、該処理容器1の器壁に設けた透過窓3から赤外線を照射して該半導体基板2の赤外線加熱を行うに際して、該処理容器1の内壁の少なくとも一部を赤外線吸収物5で覆い、且つ前記赤外線の照射を前記透過窓3を介し該半導体基板1のデバイスパターンが形成されていない裏面に向かって行うことを特徴とする半導体基板の赤外線加熱方法、及び内部に被処理基板2が配置される処理容器1が、器壁に赤外線透過窓3を有し、且つ内壁面の少なくとも一部が赤外線吸収物5で覆われた密閉型容器よりなり、該被処理基板1が、デバイスパターンの形成されていない裏面側を該赤外線透過窓3に対向させて配置されることを特徴とする赤外線加熱装置。

請求項（抜粋）：

密閉された処理容器内に配置した半導体基板に、該処理容器の器壁に設けた透過窓から赤外線を照射して該半導体基板の赤外線加熱を行うに際して、該処理容器の内壁の少なくとも一部を赤外線吸収物で覆い、且つ前記赤外線の照射を前記透過窓を介し該半導体基板のデバイスパターンが形成されていない裏面に向かって行うことを特徴とする半導体基板の赤外線加熱方法。

IPC (2件)：

H01L 21/26 ,  H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ランプアニール装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-165860   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭63-041018
  
• 特開昭63-041018