高融点金属シリサイドターゲット及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-169534
公開番号（公開出願番号）：特開平6-010124
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月18日
要約：

【要約】【構成】 MSi2(ただし、MはMo,W,Ta,Zr,Ti,Nb,Crの内から選択される1種類)で表される高融点金属シリサイド粒と、Si粒との焼結体からなる高融点金属シリサイドターゲットにおいて、上記高融点金属シリサイド粒の平均粒径が0.5〜10μmであり、かつ上記Si粒の平均粒径が0.1〜20μmであることを特徴とする高融点金属シリサイドターゲットである。【効果】ターゲット組織中の高融点金属シリサイド粒とが均一に分散した組織を有していることから、優れた特性の薄膜を形成できるとともに、パーティクルの発生を減少させることができるので、半導体製品等での製品歩留りを飛躍的に向上させることができる。

請求項（抜粋）：

一般式MSi2(ただし、MはMo,W,Ta,Zr,Ti,Nb,Crの内から選択される1種類)で表される高融点金属シリサイド粒と、Si粒との焼結体からなる高融点金属シリサイドターゲットにおいて、上記高融点金属シリサイド粒の平均粒径が0.5〜10μmであり、かつ上記Si粒の平均粒径が0.1〜20μmであることを特徴とする高融点金属シリサイドターゲット。

IPC (6件)：

C23C 14/34 , B22F 3/14 , C22C 1/05 , C22C 29/18 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-130360
特開平4-028864
特開平4-028865

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