半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-306206
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118230
出願日： 2000年10月05日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】高耐圧化が可能で、チップコストが抑制され、かつ、長期信頼性の確保が可能である高耐圧接合終端構造を有する高耐圧ICなどの半導体装置を提供すること。【解決手段】第1、第2基準回路形成領域1、2間を電位的に分離する高耐圧接合終端構造上部に帯状の薄膜層4が形成され、この薄膜層4に形成されるツェナーダイオードは、高耐圧NMOS5、高耐圧PMOS6が設けられている箇所やコーナ箇所の曲線部分Bと、基準回路形成領域1、2端部と平行している直線部分Cとに形成される。このツェナーダイオードを形成することで、電位分布の均一化を図ることができる。

請求項（抜粋）：

低電位にある第1集積回路形成領域と、高電位にある第2集積回路形成領域と、前記第1集積回路形成領域と前記第2集積回路形成領域とを、電位的に分離するための高耐圧接合終端構造とを有する半導体装置において、高耐圧接合終端構造上部の表面構造が、ツェナーダイオードが形成された帯状の薄膜層で形成され、該薄膜層の長手方向の両端部が、前記第1集積回路形成領域と前記第2集積回路形成領域にそれぞれ接続することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/76 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/06 , H01L 29/866

FI (5件)：

H01L 29/06 , H01L 27/04 A , H01L 21/76 S , H01L 27/08 321 A , H01L 29/90 D

Fターム (23件)：

5F032AB02 , 5F032AC01 , 5F032BA01 , 5F032BA05 , 5F032BB06 , 5F032CA15 , 5F032CA17 , 5F032CA24 , 5F038BH04 , 5F038BH09 , 5F038BH10 , 5F038BH15 , 5F038CA05 , 5F038EZ20 , 5F048AA05 , 5F048AC03 , 5F048AC06 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BB01 , 5F048BB02 , 5F048BE03 , 5F048BH09

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-141788 出願人：株式会社東芝

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