高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-128529
公開番号（公開出願番号）：特開2002-322217
出願日： 2001年04月26日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】 (修正有)【解決手段】下記一般式(1)で示される繰り返し単位と、カルボン酸あるいはアルコールの水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位とを含有する高分子化合物。【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特には190nm以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位と、カルボン酸あるいはアルコールの水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位とを含有する高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>3</SP>は同一又は異種の水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R<SP>4</SP>、R<SP>5</SP>は同一又は異種の水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R<SP>4</SP>、R<SP>5</SP>の一方あるいは両方に少なくとも1個のフッ素原子を含む。0≦e<5、0≦f≦5、1≦g≦5の範囲であり、0<e+f<5である。a>0である。)

IPC (7件)：

C08F212/14 , C08F216/12 , C08F220/10 , C08F222/10 , C08F222/40 , C08F230/08 , G03F 7/039 601

FI (7件)：

C08F212/14 , C08F216/12 , C08F220/10 , C08F222/10 , C08F222/40 , C08F230/08 , G03F 7/039 601

Fターム (48件)：

2H025AA04 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB10 , 2H025CB14 , 2H025CB16 , 2H025CB41 , 2H025CB43 , 2H025CB45 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J100AB07P , 4J100AB10P , 4J100AE09Q , 4J100AE38Q , 4J100AL08Q , 4J100AL46Q , 4J100AM47Q , 4J100BA02Q , 4J100BA03Q , 4J100BA11Q , 4J100BA15Q , 4J100BA20Q , 4J100BA22Q , 4J100BA72Q , 4J100BB07P , 4J100BB18P , 4J100BC03Q , 4J100BC04Q , 4J100BC08Q , 4J100BC09Q , 4J100BC12Q , 4J100BC22Q , 4J100BC23Q , 4J100BC43Q , 4J100BC45Q , 4J100BC53Q , 4J100BC60Q

引用特許：

審査官引用 (2件)

ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-254106 出願人：住友化学工業株式会社
ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-202298 出願人：富士写真フイルム株式会社

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