不揮発性メモリを内蔵するMOS型集積回路とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾川秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-027308
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224442
出願日： 1993年01月24日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】普通のMOSトランジスタ3の性能低下を伴うことなく不揮発性メモリ2の信頼度を高める。【構成】不揮発性メモリ2の第1のゲート絶縁膜5と第2のゲート絶縁膜9のうちの少なくとも一方、例えば第1のゲート絶縁膜5は窒素原子を含有し、通常のMOSトランジスタ3のゲート絶縁膜6は窒素原子を含有しない。【効果】ゲート絶縁膜は窒素を含有するとTDDB特性、ホットキャリア耐性が高まるのでより高い信頼度を要求される不揮発性メモリ2の信頼度が高まる。尚、窒素含有により電気駆動能力は弱まるが、信頼度に余裕のある普通のMOSトランジスタ3はゲート絶縁膜6が窒素を含有していないので電気駆動能力が低下しない。

請求項（抜粋）：

第1のゲート絶縁膜上に第1のゲートを形成し、該ゲート上に第2のゲート絶縁膜を介して第2のゲートを形成した構造の不揮発性メモリを内蔵したMOS型集積回路において、上記不揮発性メモリの第1のゲート絶縁膜と第2のゲート絶縁膜のうちの少なくとも一方は窒素原子を含有し、普通のMOSトランジスタのゲート絶縁膜は窒素原子を含有しないことを特徴とする不揮発性メモリを内蔵したMOS型集積回路

IPC (3件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-208570
特開平2-084776
特開平2-082581

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