特許
J-GLOBAL ID：200903016323221196
SiCの研磨方法および光学素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-134265
公開番号（公開出願番号）：特開平8-323604
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月10日
要約：
【要約】【目的】 表面粗さ0.3nmRMS程度の超平滑な表面を形成できるSiCの研磨方法を提供する。【構成】 平均粒径が1〜3μmのダイアモンド砥粒を含む研磨液(7)を用いるSiC被加工物(2)の研磨方法、および、この研磨方法を行う工程を含むCVD-SiC表面を有する光学素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
平均粒径が1〜3μmのダイアモンド砥粒を含む研磨液を用いることを特徴とするSiCの研磨方法。
引用特許：
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