特許

J-GLOBAL ID：200903016347372578

基板処理装置

発明者： 佐藤 武敏 ,  経田 昌幸 ,  山崎 裕久
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-153544
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340281
出願日： 2004年05月24日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】より確実にセルフクリーニングを行うことができる基板処理装置を提供する、【解決手段】Al2O3、HfO2またはTa2O5等の高誘電率膜を成膜する装置におけるセルフクリーニングを、Cl2供給ライン232fよりCl2ガスを処理炉202内に供給して行う。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

Cl2を用いてセルフクリーニングを行うことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L21/304 ,  H01L21/31

FI (3件)：

H01L21/304 645Z ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/31 B

Fターム (16件)：

5F045AA03 ,  5F045AB31 ,  5F045AC00 ,  5F045AC02 ,  5F045AC08 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-293953   出願人：株式会社日立国際電気