特許
J-GLOBAL ID：200903042655541233

基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法

発明者：
境 正憲

境 正憲 について

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加賀谷 徹

加賀谷 徹 について

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山崎 裕久

山崎 裕久 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (1件)： 宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-293953
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064305
出願日： 2003年08月15日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】Al2O3膜等を生成する際、副生成物であるノズル内のAl膜等の成膜を抑えることができるようにする。【解決手段】反応管203と、シリコンウエハ200を加熱するヒータ207とを有し、トリメチルアルミニウム(TMA)とオゾン(O3)とを、反応管203内に交互に供給してウエハ200の表面にAl2O3膜を生成する基板処理装置であって、オゾンとTMAとをそれぞれ流す供給管232a、232bと、反応管203内にガスを供給するノズル233と、を備え、2つの供給管232a、232bを、反応管203内のウエハ200付近の温度よりも低い温度の領域で、ヒータ207の内側に配置されたノズル233に連結させて、オゾンとTMAをノズル233を介して反応管203内にそれぞれ供給する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板を収容する処理室と、該基板を加熱する加熱部材とを有し、互いに反応し合う少なくとも2つのガスを交互に前記処理室内に供給して前記基板の表面に所望の膜を生成する基板処理装置であって、 前記2つのガスが互いに独立してそれぞれ流れる2つの供給管と、 前記処理室内にガスを供給する単一のガス供給部材であって、前記2つのガスのうちの少なくとも1つのガスの分解温度以上の領域にその一部が延在している前記単一のガス供給部材と、を備え、 前記2つの供給管を、前記少なくとも1つのガスの分解温度未満の場所で、前記ガス供給部材に連結させて、前記2つのガスを前記ガス供給部材を介して前記処理室内にそれぞれ供給することを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H01L21/316
FI (3件)：
H01L21/31 B ,  C23C16/455 ,  H01L21/316 X
Fターム (34件)：
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA06 ,  4K030EA08 ,  4K030LA02 ,  4K030LA12 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EB06 ,  5F045EC09 ,  5F045EE01 ,  5F045EE14 ,  5F045EF03 ,  5F045EM10 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BG02
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-291578   出願人：東京エレクトロン株式会社
  • 成膜方法および基板処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-079485   出願人：東京エレクトロン株式会社

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